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onsemi FDG314P
| Artikelnummer: | FDG314P |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 25V 650MA SC88 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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onsemi FDG314P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDG314P.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Vgs (Max) ±8V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse SC-88 (SC-70-6) Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V Verlustleistung (max) 750mW (Ta) Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 63 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 4.5 V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 650mA (Ta) Grundproduktnummer FDG314 FDG314P Einzelheiten PDF [English] FDG314P PDF - EN.pdf -
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